美国东部时间，2月28日，应用材料公司推出了一款新型电子束测量系统，专门设计用于精确测量采用EUV和新兴高数值孔径EUV光刻技术的半导体器件特征的关键尺寸。

芯片制造商使用CD-SEM（特征尺寸测量用扫描电子显微镜）在光刻扫描仪将其从掩模转移到光刻胶后对图案进行亚纳米级测量。这些测量持续校准光刻工艺性能，以确保图案在蚀刻到晶圆之前是正确的。CD-SEM也用于蚀刻后，将预期的图案与晶圆上的结果相关联。因此，CD-SEM有助于控制刻蚀过程，并在光刻和蚀刻之间实现反馈循环，为工程师提供高度相关的数据集，以进行整体过程调整。

随着光刻胶在EUV中变得更薄，尤其是高数值孔径EUV，测量半导体器件特征的关键尺寸变得更具挑战性。为了捕获提供精确亚纳米测量的高分辨率图像，CD-SEM必须能够将窄电子束精确地施加到极薄光刻胶占据的小区域。电子束能量与光刻胶相互作用，如果着陆能量过高，抗蚀剂会收缩，扭曲图案并产生误差。传统的CD-SEM不能产生足够窄的光束，以足够低的着陆能量创建高分辨率图像，以尽量减少与精致的高数值孔径光刻胶的相互作用。

VeritySEM 10 CD-SEM 量测系统®简介

应用材料公司的新型VeritySEM 10系统具有独特的架构，与传统的CD-SEM相比，能够以2倍的分辨率实现低着陆能量。它还提供更快30%的扫描速率，以进一步减少与光刻胶的相互作用并提高通量。该系统具有行业领先的分辨率和扫描速率，可改进对EUV和高数值孔径EUV光刻和蚀刻工艺的控制，帮助芯片制造商加快工艺开发并最大限度地提高大批量生产的良率。

VeritySEM 10系统也被芯片制造商用于3D设计中的关键尺寸计量应用，包括Gate-All-Around（GAA）逻辑晶体管和3D NAND存储器，其中系统的背向散射电子能够对深层结构进行高分辨率成像。在GAA芯片的应用中，VeritySEM 10用于测量和表征选择性外延过程，这是晶体管性能的关键。对于3D NAND存储器，该系统提供大视野和高焦深，以测量整个楼梯互连结构并帮助调整蚀刻工艺配方。

应用材料公司成像和过程控制集团副总裁Keith Wells表示：“VeritySEM 10系统是CD-SEM技术的一项突破，它解决了未来几年将塑造行业的主要技术变革的计量挑战。该系统将低着陆能量、高分辨率和更快的成像速度独特地结合在一起，有助于为高数值孔径EUV、栅极全能晶体管和高密度3D NAND铺平道路。

VeritySEM 10系统受到领先的逻辑和内存客户的强烈商业兴趣，在过去一年中出货了30多个系统。多个客户已选择该系统作为GAA晶体管的开发工具。所有领先的 3D NAND 客户都选择该系统作为记录的开发和工艺工具，多个 DRAM 客户已选择该系统作为记录的工艺工具。