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超高分辨双束扫描电镜系统 (FIB-SEM)

仪器编号
GAIA3 model 2016 GMH
仪器参数
[{"产地类别":"进口"},{"背散射电子图像分辨率":"1.6 nm @ 15keV (低真空模式)"},{"二次电子图象分辨率":"0.7 nm @ 15 keV"},{"加速电压":"200V~30kV (BDT下最低50V)"},{"放大倍数":"4~1,000,000x"},{"仪器种类":"场发射"}]
生产厂家
泰思肯（中国）有限公司
仪器介绍
GAIA3-model 2016具有非同寻常的超高分辨率成像和极其精确的纳米建模GAIA3 model2016是一款可以挑战纳米设计应用的理想平台，它同时具备极佳的精度和微量分析的能力。GAIA3 model 2016擅长的一些应用包括制备高质量的超薄TEM样品，在技术节点减少层级的过程，精确的纳米构图或高分辨率的三维重建。主要特点TriglavTM-新设计的超高分辨（UHR）电子镜筒配置了TriglavTM物镜和先进的探测系统以独特的方式结合了三透镜物镜和crossover-free模式先进的且可随意变化的探测系统可用于同步获取不同的信号超高的纳米分辨率：15keV下0.7nm，1keV下1nm极限超高分辨率：1keV下1nm可变角度的BSE探测器，最优化了低能量下能量反差实时电子束追踪(In-flight Beam TracingTM）实现了电子束的最优化传统的TESCAN大视野光路（Wide Field OpticalTM）设计提供了不同的工作和显示模式有效减少热能损耗，卓越的电子镜筒的稳定性新款的肖特基场发射电子枪现在能实现电子束电流达到400nA，且电子束能量可快速的改变为失效分析检测过程中的最新技术节点提供了完美的解决方案适合精巧的生物样品成像可观察磁性样品优化的镜筒几何学配置使得8’’晶元观察成为可能（SEM观察和FIB纳米加工）独有的实时三维立体成像，使用了三维电子束技术友好的，成熟的SW模块和自动化程序Cobra FIB镜筒：高性能的Ga FIB镜筒，实现超高精度纳米建模在刻蚀和成像方面是最顶尖水平的技术Cobra保证在最短时间内完成剖面处理和TEM样品制备FIB最佳分辨率<2.5nmFIB-SEM断层分析可应用于高分辨的三维显微分析适合生物样品的三维超微结构研究，例如组织和完整的细胞低电压下绝佳的性能，适合于刻蚀超薄样品和减少非晶层应用半导体超细减薄TEM薄片厚度小于15nm，用于进行小于14nm工艺节点的失效分析通过平面去层级化的手段对三维集成电路板进行失效分析三维集成电路板的原型设计和电路修改电子束敏感结构材料的成像，如低电子束能量下的晶体管层，光阻材料等用于独特三维结构分析的超高分辨FIB-SEM层析成像技术通过在亚纳米分辨率下的透射电子(STEM)或元素分析(EBX, EBSD)等手段进行TEM薄片的原位分析6’’, 8’’及12’’晶片的检验及分析无失真的高分辨EBSD集成电路板和薄层测量下具有开创性及精确的原型设计，离子束光刻(IBL)以及失效分析通过结合FIB技术及电子束蚀刻(EBL)来进行细小的特殊结构的刻蚀及镀膜。材料科学非导电材料如陶瓷，高分子及玻璃等的成像纳米材料如纳米管和纳米环的表征通过切片分析进行金属及合金的疲劳和裂纹形成分析通过电子束蚀刻或聚焦离子束诱导沉积的方式进行纳米结构如纳米盘，触体和霍尔探针的制造。磁性样品的成像用于分析磁性材料磁化动力学及其畴壁运动的自旋电子结构的样品制备通过TOF-SIMS分析进行同位素及具有类似相当质量的元素种类的鉴别通过TOF-SIMS包括三维重构进行锂离子电极的贯穿分析通过元素分布，相分布及晶体取向进行高分辨FIB-SEM层析成像的材料表征手段通过二次离子成像进行腐蚀生长学的研究特定应用下的TEM薄片的样品制备生命科学低电子束能量下生物样品未镀膜状态的观察高度集中区域的高分辨FIB层析成像分析标本动物嵌入树脂或植物组织和细胞的独特三维结构信息动物和植物组织的超微结构分析的TEM薄片制备亚纳米分辨率下的原位TEM样品观察TOF-MOS的高分辨表面元素分析细胞形态学的研究，组织工程，微生物学及生物相容性材料的发展可变压力模式及易损样品的冷冻技术成像光电联用显微镜全液体生物样品的Cry-FIB-SEM分析关于TESCANTESCAN发源于全球最大的电镜制造基地-捷克Brno，是电子显微镜及聚焦离子束系统领域全球知名的跨国公司，有超过60年的电子显微镜研发和制造历史，是扫描电子显微镜与拉曼光谱仪联用技术、聚焦离子束与飞行时间质谱仪联用技术以及氙等离子聚焦离子束技术的开拓者，也是行业领域的技术领导者。

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