德国WEP公司的ECV（型号为CVP21）在太阳能光伏行业的应用非常普及，市场占有率甚至达95%以上，是光伏行业电池技术研究和发展的必要工具之一，几乎知名的光伏企业都有使用。
 
WEP公司的ECV设备：CVP21（见图）
1.       ECV又名扩散浓度测试仪，结深测试仪等，即电化学CV法测扩散后的载流子浓度分布（见图）；
2.       相比其他方法如SRP，SIMS等，ECV具有测量使用方便，价格低的优点；
 

WEP公司的ECV具有独特技术可应用于测试电池片的绒面样片，这也是其被广泛使用的原因之一； 4.       CVP21所能测量的深度范围是nm---10um;
5.       测量的载流子浓度范围在10e12cm-3 < N < 10e21cm-3之内都无需校准；
6.       测量扩散样片时，样片是保持“Dry in”和“Dry out”，并无需做特别处理；
7.       其所用到的化学试剂本地就能买到，价格低且用量很少买一次可以用好几年；
8.       从CVP21所测得的数据能带给研发或工艺人员三方面的信息：一是表面浓度，二是浓度变化曲线，三是结深（见图）；
9.       表面浓度对于选择和使用适合的浆料很有帮助，如粘合性，接触电阻等的匹配问题；
10.   浓度分布曲线对掌握和改进扩散工艺提供依据；
11.   结深的信息对电池工艺的总体把握来说是必须的，也是扩散工艺时常需要抽测的项目之一；
12.   参考：测试出的几种扩散浓度分布曲线（见图）；
13.   广泛的客户群：Q-CELL, NREL, ISFH, SHELL,ECN,RWE,HMI,SISE尚德，天合，晶澳，英利，交大泰阳，BYD，海润，晶科，吉阳，南玻，格林保尔…
 

仪器简介：电化学ECV,掺杂浓度检测（C-V Profiling）PN结深测试

    电化学ECV可以用于太阳能电池、LED等产业，是化合物半导体材料研究或开发的主要工具之一。电化学ECV主要用于半导体材料的研究及开发，其原理是使用电化学电容-电压法来测量半导体材料的掺杂浓度分布。电化学ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或发展半导体光-电化学湿法蚀刻(PEC Etching)很好的选择。 

    本设备适用于在半导体生产中的外延过程的性能评估和过程控制，可以测试多种不同的材料，例如：硅, 锗, III-V 族和 III-N族材料等。CVP 21的模块化系统结构让测量半导体材料（结构，层）中的掺杂浓度分布变得高效、准确。选用合适的电解液与材料接触、腐蚀，从而得到材料的掺杂浓度分布。电容值电压扫描和腐蚀过程由软件全自动控制 。

CVP21的系统特点： 
  *坚固可靠的模块化系统结构 ．光学，电子和化学部分相对独立．
  *精确的测量电路模块
  *强力的控制软件，系统操作，使用简便
  *完善的售后服务体系

提供免费样品测试并提供测试报告。
保修期：2年，终身维修。
对用户承诺终身免费样品测试每月1次。

技术参数：

我们在电化学方分布测试产品方面有超过３０年的经验和世界上最先进的电路系统。

全自动，特别适用于新材料，如氮化镓，碳化硅材料等。　

有效检测: 外延材料、扩散 、离子注入
适用材料: CVP21应用范围宽，可以用于绝大多数的半导体材料。
IV族化合物半导体如：硅(Si)、锗(Ge)、碳化硅(SiC)等;
III-V族化合物半导体如：砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)等;
三元III-V族化合物半导体如：铝镓砷(AlGaAs)、镓铟磷(GaInP)、铝铟砷(AlInAs)等;
四元III-V族化合物半导体如：铝镓铟磷(AlGaInP)等;
氮化物如：氮化镓(GaN)、铝镓氮(AlGaN)、铟镓氮(InGaN)、铝铟氮(AlInN)等;
II-VI族化合物半导体如：氧化锌(ZnO)、碲化镉(CdTe)、汞镉碲(HgCdTe)等;
其他不常见半导体材料(可以联系我们进行样品测量)。
　
载流子浓度测量范围:
*最大 1021/cm³； 最小 1011/cm³
深度解析度: 最大无上限；最小可至1 nm （或更低）
模块化系统结构: 拓扑型结构，实时监控腐蚀过程，适于微小样品及大尺寸的晶圆，全自动化系统。

主要特点：

CVP21电化学ECV是半导体载流子浓度分布完美的解决方案：
1， CVP21应用范围宽，可以用于绝大多数的半导体材料。
  * IV族化合物半导体如：硅(Si)、锗(Ge)、碳化硅(SiC)等;
  * III-V族化合物半导体如：砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)等;
  * 三元III-V族化合物半导体如：铝镓砷(AlGaAs)、镓铟磷(GaInP)、铝铟砷(AlInAs)等;
  * 四元III-V族化合物半导体如：铝镓铟磷(AlGaInP)等;
  * 氮化物如：氮化镓(GaN)、铝镓氮(AlGaN)、铟镓氮(InGaN)、铝铟氮(AlInN)等;
  * II-VI族化合物半导体如：氧化锌(ZnO)、碲化镉(CdTe)、汞镉碲(HgCdTe)等;
  * 其他不常见半导体材料(可以联系我们进行样品测量)。
2， CVP21可用于不同形态的样品：多层结构的薄膜材料、基底没有限制(基底导电或绝缘均可)、标准样品尺寸从4*2mm ~ 8英寸晶圆(更小尺寸样品请预先咨询我们)。
3， CVP21拥有很好的分辨率范围。
  * 载流子浓度分辨率范围从< 1012 cm-3 ~ > 1021 cm-3
  * 深度分辨率范围从1nm ~ 100um (依样品类型、样品质量决定)
4， CVP21是一套完整的电化学ECV测量系统。
  * 系统可靠性高(仪器的电子、机械、光学、液体传动几个主要部分均经特殊设计)
  * 免校准的系统(完全自校准的电子系统，电缆电容均无须用户再次校准)
  * 易于使用(全用户管理软件优化，在实验室环境或生产环境均易于使用)
  * 照相机镜头控制(过程在线由彩色照相机镜头控制；每次测量后，镜头数据均可取出。)
  * 实验菜单(测量菜单预定义，优先权用户可以很容易修改或改进测量菜单)
  * Dry-In/Dry-Out: Auto-Load/Unload/Reload (电化学样品池自动装载/卸载/再装载，优先权用户易于修改，进行样品dry-in/dry-out处理。)