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硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法

标准编号
GB/T 14141-2009
中图分类号
H80
ICS分类号
29.045
发布单位
国家标准化管理委员会
状态
现行
标准类别
国家标准
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
摘要
本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径大于15.9mm 的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2μm 的薄层,方块电阻的测量范围为10Ω~5000Ω。该方法也可适用于更高或更低阻值方块电阻的测量,但其测量精确度尚未评估。

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