你好
,欢迎来到试验技术专业知识服务系统
平台首页
中国工程院
中国工程科技知识中心
切换导航
首页
专题服务
认证认可
应急专栏
标准物质
仪器仪表
汽车
增材制造
专业工具服务
临界差在线计算
质控图在线生成
稳健统计
F检验
t检验
尧敦图
不确定度在线计算
资源服务
检测实验室服务能力查询
校准实验室服务能力查询
检测机构需求VS能力验证服务工具
实验室仪器对比查询
能力验证服务一览表和查询服务
优质检测机构Top10
试验人员能力查询
CSTM质量评价结果发布平台
数据分析可视化
试验方法对比
机构能力变化趋势分析
机构间技术能力对比
标准适用性对比
实验室综合能力评价
产品质量检测技术能力评价
行业资讯
登录 / 注册
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
标准编号
GB/T 14847-2010
中图分类号
H80
ICS分类号
29.045
发布单位
国家标准化管理委员会
状态
现行
标准类别
国家标准
发布日期
2011-01-10
实施日期
2011-10-01
摘要
本标准规定重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。 本标准适用于衬底在23℃电阻率小于0.02Ω?cm 和外延层在23℃电阻率大于0.1Ω?cm 且外延层厚度大于2μm 的n型和p型硅外延层厚度的测量;在降低精度情况下,该方法原则上也适用于测试0.5μm~2μm 之间的n型和p型外延层厚度。
相似标准
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
(GB/T 14847-1993)
硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
(GB/T 6617-2009)
硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
(GB/T 14146-2009)
锗单晶电阻率直流四探针测量方法
(GB/T 26074-2010)
硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
(GB/T 26066-2010)
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
(GB/T 14141-2009)
异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法
(YS/T 14-1991)
硅片表面平整度测试方法
(GB/T 6621-2009)
硅外延层电阻率的面接触三探针测试方法
(SJ/T 10481-1994)
硅外延层电阻率测试方法(电容-电压法)(暂行)
(SJ 1551-79)
×
我的收藏-提示信息
已有收藏
:
新增
: