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硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法

标准编号
GB/T 25188-2010
中图分类号
G04
ICS分类号
71.040.40
发布单位
国家标准化管理委员会
状态
现行
标准类别
国家标准
发布日期
2010-09-26
实施日期
2011-08-01
摘要
本标准规定了一种准确测量硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的方法,即X 射线光电子能谱法(XPS)。本标准适用于热氧化法在硅晶片表面制备的超薄氧化硅层厚度的准确测量;通常,本标准适用的氧化硅层厚度不大于6nm。

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