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硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

标准编号
GB/T 26066-2010
中图分类号
H80
ICS分类号
29.045
发布单位
国家标准化管理委员会
状态
现行
标准类别
国家标准
发布日期
2011-01-10
实施日期
2011-10-01
摘要
本标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延片表面因沾污造成的浅腐蚀坑的检测方法。 本标准适用于检测<111>或<100>晶向的p型或n型抛光片或外延片,电阻率大于0.001Ω?cm。

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