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碳化硅外延片表面缺陷测试方法

标准编号
T/IAWBS 002-2017
发布单位
中关村天合宽禁带半导.
状态
现行
标准类别
行业标准
发布日期
2017-12-20
实施日期
2017-12-31
摘要
本标准规定了功率器件用碳化硅外延片表面缺陷的无损光学测量方法。本标准适用于同质的超过（含）2微米厚的碳化硅外延层。

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