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碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法

标准编号
T/IAWBS 003-2017
发布单位
中关村天合宽禁带半导.
状态
现行
标准类别
行业标准
发布日期
2017-12-20
实施日期
2017-12-31
摘要
本标准规定了碳化硅（4H-SiC）外延层载流子浓度的测定方法─汞探针电容－电压法。　 本标准适用于单层同质碳化硅外延层载流子浓度的测量，要求测量的碳化硅外延层厚度必须大于测试偏压下耗尽层的宽度。 本标准也可适用于碳化硅衬底载流子浓度的测量。

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