你好
,欢迎来到试验技术专业知识服务系统
平台首页
中国工程院
中国工程科技知识中心
切换导航
首页
专题服务
认证认可
应急专栏
标准物质
仪器仪表
汽车
增材制造
专业工具服务
临界差在线计算
质控图在线生成
稳健统计
F检验
t检验
尧敦图
不确定度在线计算
资源服务
检测实验室服务能力查询
校准实验室服务能力查询
检测机构需求VS能力验证服务工具
实验室仪器对比查询
能力验证服务一览表和查询服务
优质检测机构Top10
试验人员能力查询
CSTM质量评价结果发布平台
数据分析可视化
试验方法对比
机构能力变化趋势分析
机构间技术能力对比
标准适用性对比
实验室综合能力评价
产品质量检测技术能力评价
行业资讯
登录 / 注册
半导体材料的试验.用探针直线排列的四探针/直流法测量单晶硅或锗单晶体的电阻率
标准编号
DIN 50431-1988
中图分类号
H82
ICS分类号
29_045
发布单位
德国标准化学会(DE-DIN)
状态
作废
标准类别
国际标准
发布日期
1988-05-01
相似标准
无机半导体材料的检验.用双探针直流法测定硅和锗的棒状单晶体的比电阻
(DIN 50430-1980)
半导体材料试验:采用四探针/直流法测量硅片和锗片电阻率的径向变化
(DIN 50435-1988)
半导体工艺使用材料的检验.第1部分:用X射线外形测量法检测半导体单晶硅中晶体缺陷和不均匀性
(DIN 50443-1-1988)
半导体工艺材料的检验.对(111)和(100)表面采用蚀刻技术的单晶硅的晶体结构缺陷的测定
(DIN 50434-1986)
锗单晶电阻率直流四探针测量方法
(GB/T 26074-2010)
半导体工艺材料试验.使用电容式探测器对半绝缘半导体切片电阻率的无接触测定
(DIN 50448-1998)
半导体工艺材料的检验.第3部分:采用劳埃反向散射法测定单晶体取向
(DIN 50433-3-1982)
硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法
(GB/T 1551-1995)
半导体工艺材料的检验.蚀刻混合剂浸蚀率的测定.第1部分:单晶硅测重法
(DIN 50453-1-1990)
超导性.第4部分:剩余电阻率的测量.Nb-Ti复合超导体的剩余电阻率
(DIN EN 61788-4-2008)
×
我的收藏-提示信息
已有收藏
:
新增
: