你好
,欢迎来到试验技术专业知识服务系统
平台首页
中国工程院
中国工程科技知识中心
切换导航
首页
专题服务
认证认可
应急专栏
标准物质
仪器仪表
汽车
增材制造
专业工具服务
临界差在线计算
质控图在线生成
稳健统计
F检验
t检验
尧敦图
不确定度在线计算
资源服务
检测实验室服务能力查询
校准实验室服务能力查询
检测机构需求VS能力验证服务工具
实验室仪器对比查询
能力验证服务一览表和查询服务
优质检测机构Top10
试验人员能力查询
CSTM质量评价结果发布平台
数据分析可视化
试验方法对比
机构能力变化趋势分析
机构间技术能力对比
标准适用性对比
实验室综合能力评价
产品质量检测技术能力评价
行业资讯
登录 / 注册
硅片和硅锭载流子复合寿命的测试 非接触微波反射光电导衰减法
标准编号
GB/T 26068-2018
中图分类号
H21
ICS分类号
77.040
发布单位
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
状态
现行有效
标准类别
国家标准
发布日期
2018-12-28
实施日期
2019-11-01
摘要
本标准规定了单晶和铸造多晶的硅片及硅锭的载流子复合寿命的非接触微波反射光电导衰减测试方法。
应用范围
本标准适用于硅锭和经过抛光处理的n型或p型硅片(当硅片厚度大于1 mm时,通常称为硅块)载流子复合寿命的测试。在电导率检测系统灵敏度足够的条件下,本标准也可用于测试切割或经过研磨、腐蚀的硅片的载流子复合寿命。通常,被测样品的室温电阻率下限在0.05 Ω·cm~10 Ω·cm之间,由检测系统灵敏度的极限确定。载流子复合寿命的测试范围为大于0.1 μs,可测的最短寿命值取决于光源的关断特性及衰减信号测定器的采样频率,最长可测值取决于样品的几何条件及其表面的钝化程度。
附件详情
0
正在生成预览,如果页面较多可能花费较长时间,请耐心等待...
相似标准
硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
(GB/T 26068-2010)
硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
(GB/T 1553-2009)
太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法
(GB/T 37051-2018)
硅晶锭尺寸的测定 激光法
(GB/T 37213-2018)
硅片表面薄膜厚度的测试 光学反射法
(GB/T 40279-2021)
硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
(GB/T 1553-1997)
硅抛光片表面颗粒测试方法
(GB/T 19921-2018)
硅多晶气氛区熔基磷检验方法
(GB/T 4059-2018)
纳米技术 半导体纳米粉体材料紫外-可见漫反射光谱的测试方法
(GB/T 37131-2018)
硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法
(GB/T 14146-2021)
×
我的收藏-提示信息
已有收藏
:
新增
: